學(xué)生半導(dǎo)體器件學(xué)習(xí)考研指導(dǎo)
我們在進行半導(dǎo)體器件的考研時，要多聽取他人的指導(dǎo)。小編為大家精心準(zhǔn)備了半導(dǎo)體器件考研指導(dǎo)，歡迎大家前來閱讀。
哈爾濱工業(yè)大學(xué)半導(dǎo)體物理Ⅱ考研初試大綱
考試科目名稱：半導(dǎo)體物理Ⅱ 考試科目代碼：[829]
一、考試要求：
要求考生系統(tǒng)地掌握半導(dǎo)體物理的基本概念和基本原理，并能利用基本原理分析半導(dǎo)體的物理性能。要求考生對半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)和能帶論、載流子統(tǒng)計分布、載流子輸運過程、p-n結(jié)理論、金屬-半導(dǎo)體接觸理論、半導(dǎo)體光電效應(yīng)等基本原理有很好的掌握，并能熟練運用分析半導(dǎo)體的光電特性。
二、考試內(nèi)容：
1)半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)和能帶論
a:半導(dǎo)體晶格結(jié)構(gòu)及電子狀態(tài)和能帶
b:半導(dǎo)體中電子的運動
c:本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機構(gòu)
d:硅和鍺及常用化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)
2)雜質(zhì)半導(dǎo)體理論
a:硅和鍺晶體中的雜質(zhì)能級
b:常用化合物半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能級
c:缺陷、位錯能級
3)載流子的統(tǒng)計分布
a:狀態(tài)密度與載流子的統(tǒng)計分布
b:本征與雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度
c:一般情況下載流子統(tǒng)計分布
d:簡并半導(dǎo)體
4)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性
a:載流子的漂移運動與散射機構(gòu)
b:遷移率、電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
c:多能谷散射、耿氏效應(yīng)
5)非平衡載流子
a:非平衡載流子的注入、復(fù)合與壽命
b:準(zhǔn)費米能級
c:復(fù)合理論、陷阱效應(yīng)
d:載流子的擴散、電流密度方程
e:連續(xù)性方程
6)p-n結(jié)理論
a:p-n結(jié)及其能帶圖
b:p-n結(jié)電流電壓特性
c:p-n結(jié)電容、p-n結(jié)隧道效應(yīng)
7)金屬-半導(dǎo)體接觸理論
a:金-半接觸、能帶及整流理論
b:歐姆接觸
8)半導(dǎo)體光電效應(yīng)
a:半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)(光吸收和光發(fā)射)
b:半導(dǎo)體的光電導(dǎo)效應(yīng)
c:半導(dǎo)體的光生伏特效應(yīng)
d:半導(dǎo)體發(fā)光二極管、光電二極管
三、試卷結(jié)構(gòu)：
a)考試時間：180分鐘，滿分：150分
b)題型結(jié)構(gòu)
a:概念及簡答題(60分)
b:論述題(90分)
c)內(nèi)容結(jié)構(gòu)
a:半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)和能帶論及雜質(zhì)半導(dǎo)體理論(30分)
b:載流子的統(tǒng)計分布(20分)
c:半導(dǎo)體的導(dǎo)電性(20分)
d:非平衡載流子(20分)
e:p-n結(jié)理論和金屬-半導(dǎo)體接觸理論(30分)
f:半導(dǎo)體光電效應(yīng)(30分)
西安電子科技大學(xué)年半導(dǎo)體物理與器件物理考研大綱
“半導(dǎo)體物理與器件物理”(801)
一、總體要求
“半導(dǎo)體物理與器件物理”(801)由半導(dǎo)體物理、半導(dǎo)體器件物理二部分組成，半導(dǎo)體物理占60%(90分)、器件物理占40%(60分)。
“半導(dǎo)體物理”要求學(xué)生熟練掌握半導(dǎo)體的相關(guān)基礎(chǔ)理論，了解半導(dǎo)體性質(zhì)以及受外界因素的影響及其變化規(guī)律。重點掌握半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和帶、半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷能級、半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計分布、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性、半導(dǎo)體中的非平衡載流子等相關(guān)知識、基本概念及相關(guān)理論，掌握半導(dǎo)體中載流子濃度計算、電阻(導(dǎo))率計算以及運用連續(xù)性方程解決載流子濃度隨時間或位置的變化及其分布規(guī)律等。
“器件物理”要求學(xué)生掌握MOSFET器件物理的基本理論和基本的分析方法，使學(xué)生具備基本的器件分析、求解、應(yīng)用能力。要求掌握MOS基本結(jié)構(gòu)和電容電壓特性;MESFET器件的基本工作原理;MOSFET器件的頻率特性;MOSFET器件中的非理想效應(yīng);MOSFET器件按比例縮小理論;閾值電壓的影響因素;MOSFET的擊穿特性;掌握器件特性的基本分析方法。
“半導(dǎo)體物理與器件物理”(801)研究生入學(xué)考試是所學(xué)知識的總結(jié)性考試，考試水平應(yīng)達到或超過本科專業(yè)相應(yīng)的課程要求水平。
二、各部分復(fù)習(xí)要點
●“半導(dǎo)體物理”部分各章復(fù)習(xí)要點
(一)半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)
1.復(fù)習(xí)內(nèi)容
半導(dǎo)體晶體結(jié)構(gòu)與化學(xué)鍵性質(zhì)，半導(dǎo)體中電子狀態(tài)與能帶，電子的運動與有效質(zhì)量，空穴，回旋共振，元素半導(dǎo)體和典型化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)。
2.具體要求
半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶
半導(dǎo)體中電子的運動和有效質(zhì)量
本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機構(gòu)
空穴的概念
回旋共振及其實驗結(jié)果
Si、Ge和典型化合物半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)
(二)半導(dǎo)體中雜志和缺陷能級
1.復(fù)習(xí)內(nèi)容
元素半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能級，化合物半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能級、位錯和缺陷能級。
2.具體要求
Si和Ge晶體中的雜質(zhì)能級
雜質(zhì)的補償作用
深能級雜質(zhì)
�、�-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體中的雜質(zhì)能級
等電子雜質(zhì)與等電子陷阱
半導(dǎo)體中的缺陷與位錯能級
(三)半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計分布
1.復(fù)習(xí)內(nèi)容
狀態(tài)密度，F(xiàn)ermi能級，載流子統(tǒng)計分布，本征和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度，補償半導(dǎo)體的載流子濃度，簡并半導(dǎo)體
2.具體要求
狀態(tài)密度的定義與計算
費米能級和載流子的統(tǒng)計分布
本征半導(dǎo)體的載流子濃度
雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度
雜質(zhì)補償半導(dǎo)體的載流子濃度
簡并半導(dǎo)體及其載流子濃度、簡并化條件、簡并半導(dǎo)體的特點與雜質(zhì)帶導(dǎo)電
載流子濃度的分析計算方法及其影響載流子濃度的因素
(四)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性
1.復(fù)習(xí)內(nèi)容
載流子的'漂移運動，遷移率，載流子的散射，遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系，電阻率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系，強場效應(yīng)與熱載流子
2.具體要求
載流子漂移運動
遷移率
載流子散射
半導(dǎo)體中的各種散射機制
遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
電阻率及其與雜質(zhì)濃度和溫度的關(guān)系
強電場下的效應(yīng)
高場疇區(qū)與Gunn效應(yīng);
(五)非平衡載流子
1.復(fù)習(xí)內(nèi)容
非平衡載流子的產(chǎn)生與復(fù)合，非平衡載流子壽命，準(zhǔn)費米能級，復(fù)合理論，陷阱效應(yīng)，非平衡載流子載流子的擴散與漂移，愛因斯坦關(guān)系，連續(xù)性方程。
2.具體要求
非平衡載流子的注入與復(fù)合
準(zhǔn)費米能級
非平衡載流子的壽命
復(fù)合理論
陷阱效應(yīng)
載流子的擴散運動
載流子的漂移運動
Einstein關(guān)系
連續(xù)性方程的建立及其應(yīng)用
●“器件物理”部分各章復(fù)習(xí)要點
(一)金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)結(jié)構(gòu)物理基礎(chǔ)
1.復(fù)習(xí)內(nèi)容
MOS結(jié)構(gòu)的物理性質(zhì)，能帶結(jié)構(gòu)與空間電荷區(qū)，平帶電壓與閾值電壓，電容電壓特性
2.具體要求
MOS結(jié)構(gòu)的物理性質(zhì)
n型和p型襯底MOS電容器的能帶結(jié)構(gòu)
耗盡層厚度的計算
功函數(shù)的基本概念以及金屬-半導(dǎo)體功函數(shù)差的計算方法
平帶電壓的定義與求解;閾值電壓的影響因素;
MOS電容的定義，理想的C-V特性;影響C-V特性的主要因素
(二)MOSFET基本工作原理
1.復(fù)習(xí)內(nèi)容
MOSFET基本結(jié)構(gòu)，MOSFET電流電壓關(guān)系，襯底偏置效應(yīng)。MOSFET的頻率特性。閂鎖現(xiàn)象
2.具體要求
MOSFET電流電壓關(guān)系的定性分析，漏極電流與柵壓之間的關(guān)系;
襯偏效應(yīng)的概念及影響
小信號等效電路的概念與分析方法
MOSFET器件頻率特性的影響因素
CMOS基本技術(shù)及閂鎖現(xiàn)象
(三)MOSFET器件的深入概念
1.復(fù)習(xí)內(nèi)容
MOSFET中的非理想效應(yīng);MOSFET的按比例縮小理論;小尺寸器件的閾值電壓;MOSFET器件的擊穿特性
2.具體要求
理解實際器件與理想特性之間的偏差及其原因
器件按比例縮小的基本方法動態(tài)電路方程及其求解
短溝道效應(yīng)與窄溝道效應(yīng)對MOSFET器件閾值電壓的影響
MOSFET器件的各種擊穿模式，擊穿電壓的影響因素
三、試卷結(jié)構(gòu)與考試方式
1、題型結(jié)構(gòu)：名詞解釋、簡答題、問答題、計算題、判斷題、繪圖題等。試卷滿分為150分。
2、考試方式：閉卷，考試必須按照規(guī)定攜帶不具備編程和存儲功能的函數(shù)計算器。
3、考試時間：180分鐘。
四、參考書目
1、《半導(dǎo)體物理學(xué)》(第七版)，劉恩科、朱秉升、羅晉生等著，電子工業(yè)出版社 2011年3月。
2、《半導(dǎo)體物理與器件》(第4版)趙毅強等譯 電子工業(yè)出版社 2013年。
南京電子器件研究所考研調(diào)劑信息
南京電子器件研究所始建于1958年，主要從事固態(tài)功率器件、微波毫米波模塊電路等專業(yè)技術(shù)的研發(fā)和生產(chǎn)，研制的核心芯片和關(guān)鍵元器件在我軍戰(zhàn)略預(yù)警、防空反導(dǎo)、精確打擊、機載火控等信息化裝備和載人航天等國家大型工程中發(fā)揮了舉足輕重的作用;科研進入了國家科技發(fā)展的“主渠道”，是國家科技重大專項核心電子器件領(lǐng)域的主要承擔(dān)單位之一，目前在三代半導(dǎo)體研制領(lǐng)域處于國內(nèi)領(lǐng)先水平;積極推動軍民融合發(fā)展，民品產(chǎn)業(yè)進入國民經(jīng)濟信息化建設(shè)的主戰(zhàn)場，形成了射頻電子、功率電子兩大支柱產(chǎn)業(yè)板塊。
碩士點以國家級重點實驗室為依托，擁有國內(nèi)一流的科研條件，師資力量雄厚。南京電子器件研究所現(xiàn)有研發(fā)人員1500余人，高工以上職稱354人，集團公司首席科學(xué)家2人，首席專家2人，享受政府特殊津貼55人，江蘇新世紀(jì)百千萬人才工程國家級人選2人。南京電子器件研究所是“單片集成電路與模塊重點實驗室”、“國家平板顯示工程技術(shù)研究中心”、“寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件實驗室”、“有源層優(yōu)化生長技術(shù)研究應(yīng)用中心”等國家級實驗室和工程中心的依托單位。建所以來，共取得科研成果3000多項，其中省(部)級以上科技進步獎560多項，國家級科技進步獎60多項，國家科學(xué)技術(shù)進步獎特等獎2項。
南京電子器件研究所招收的研究生為全日制學(xué)術(shù)型碩士，學(xué)制2.5年，且為定向培養(yǎng)。研究生第一年在東南大學(xué)選修課程，學(xué)分修滿后第二年回所做課題完成畢業(yè)論文。我所對在讀研究生實行獎學(xué)金制度，學(xué)生讀研期間免收學(xué)費及住宿費。在讀學(xué)生入住舒適的單身公寓，每月發(fā)放餐補。
2017年全國研究生招生考試成績已公布，我所將接收調(diào)劑考生十多名。調(diào)劑條件如下：
一、學(xué)生畢業(yè)院校為：“985”和“211”等重點院�？忌�
二、畢業(yè)專業(yè)：電子科學(xué)與技術(shù)、微電子學(xué)、電磁場與微波技術(shù)、電子信息工程等相關(guān)專業(yè)(計算機、自動化、機械等方向不接收)。
三、統(tǒng)考科目為數(shù)學(xué)一和英語一。
四、報考學(xué)位為全日制學(xué)術(shù)型學(xué)位。
符合上述條件，并且有志于為國防事業(yè)做出貢獻的考生，請將個人簡歷(含項目經(jīng)驗、本科成績等)及我所調(diào)劑申請表(附件)發(fā)送郵件至：，并在郵件標(biāo)題中注明姓名、畢業(yè)學(xué)校、專業(yè)及考研總分。
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